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英飞凌IGBT特点
日期：2024-05-15 15:41
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摘要：
特点：☆开关频率可达40KHz（硬开关）☆内置Emcon快恢复二极管
英飞凌（Infineon）“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术，NPT-IGBT上等单管具有：
◆正温度系数饱和压降，易于并联，具有类MOSFET特性。
◆参数离散性小，便于批量生产。
◆参数离散性小，便于批量生产。
◆拖尾电流小，且随温度增加不明显增加高温特性优异。
◆开关速度快，高频特性好。
◆开关速度快，高频特性好。
◆无锁定效应，过载能力强，可靠性高。
英飞凌IGBT的介绍：
英飞凌IGBT的介绍：
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆适合开关频率fs≤30KHz☆TO-247封装易于安装
☆适合开关频率fs≤30KHz☆TO-247封装易于安装
☆采用沟槽栅+电场终止层IGBT工艺技术
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆适合开关频率fs≤20KHz的应用领域
尊敬的客户：
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