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三菱IGBT特点用途
日期：2025-04-30 15:11
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摘要：
三菱IGBT：
a)采用*新的CSTBT硅片技术；
b)低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；
c)降低栅极电容，栅极驱动功率接**板型IGBT；
d)采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；
e)比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。
三菱IGBT用途: 低成本设计，适合中、低端，大功率场效应原件，用途很光的。