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第六代1200V槽栅FS-IGBT模块
日期：2024-04-19 18:07
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摘要：第六代1200V槽栅FS-IGBT模块
摘要：近几年来，主要用于电能控制与变换的电力电子学迅速地扩展了它的应用领域。市场对于*新的电能变换系统的要求主要集中在：尺寸小、重量轻以及效率高。因此，就要求功率半导体技术要在获得更高性能、更先进功能以及更大功率处理能力等方面有所进步。
系统缩小尺寸的解决方案之一是使用igbt-pim(功率集成模块)，将倒相电路、动态保护电路以及整流二极管都集成在同一个模块中。近几年来，*大额定电流低于100a的pim，由于尺寸小、易装配、更经济等优点，其市场需求不断增长。
下一代igbt模块应当具有更小尺寸和更经济的特征。实现高性能紧凑型igbt模块的关键技术在于，在处理好电与热性能的同时如何减小芯片面积。igbt芯片无疑是模块中*重要的部分，在设计过程中应当给予特别的重视，以体现出*高的价值。因为它们不但是模块中尺寸*大的部件，也是模块中温升*高的部分，所以需要做好散热措施。因此，对于制造高性能紧凑型模块，重要的是同时改进芯片技术和封装工艺，也就是说，igbt应能承受更大的功耗，并且要使用lti(低热阻)封装。
新模块必须具有的另一个特征是低噪声辐射。igbt开关工作时的功耗分为“静态”功耗和“动态”功耗。静态功耗与通态压降(von)相关，与占空比也有一定的关系，但并不强烈地依赖于驱动条件。然而，包含开通与关断能量在内的动态功耗却与驱动条件显著相关。
性能的挑战
场终止结构可以显著地减小器件厚度，因此，器件性能得以大幅提高。然而，上世纪90年代早期发现的外延型igbt的关断振荡问题再次成为一个潜在的隐患。当器件变薄的同时，耗尽层更容易“穿通”到场中止层，这正是引起关断振荡的机理。因此，振荡的临界电压应当位于**工作区之外。为了减薄器件的厚度，必须在振荡的临界电压与击穿电压之间权衡并做出突破。临界电压随着硅片电阻率的降低而增长，然而与此同时，击穿电压却降低。众所周知，续流二极管(fwd)的软反向恢复特性对于获得较低的开通dv/dt来讲很重要，但是却很少有发表的论文指出igbt开通特性的重要性。在20世纪普及的平面栅igbt有着简单的栅极结构，因此，很容易根据其物理尺寸推断出它的动态特性。然而，槽栅igbt的栅极结构和版图设计更加多变，为在低von和指定短路耐量之间取得平衡而采用的优化方法也更加复杂。
系统缩小尺寸的解决方案之一是使用igbt-pim(功率集成模块)，将倒相电路、动态保护电路以及整流二极管都集成在同一个模块中。近几年来，*大额定电流低于100a的pim，由于尺寸小、易装配、更经济等优点，其市场需求不断增长。
下一代igbt模块应当具有更小尺寸和更经济的特征。实现高性能紧凑型igbt模块的关键技术在于，在处理好电与热性能的同时如何减小芯片面积。igbt芯片无疑是模块中*重要的部分，在设计过程中应当给予特别的重视，以体现出*高的价值。因为它们不但是模块中尺寸*大的部件，也是模块中温升*高的部分，所以需要做好散热措施。因此，对于制造高性能紧凑型模块，重要的是同时改进芯片技术和封装工艺，也就是说，igbt应能承受更大的功耗，并且要使用lti(低热阻)封装。
新模块必须具有的另一个特征是低噪声辐射。igbt开关工作时的功耗分为“静态”功耗和“动态”功耗。静态功耗与通态压降(von)相关，与占空比也有一定的关系，但并不强烈地依赖于驱动条件。然而，包含开通与关断能量在内的动态功耗却与驱动条件显著相关。
性能的挑战
场终止结构可以显著地减小器件厚度，因此，器件性能得以大幅提高。然而，上世纪90年代早期发现的外延型igbt的关断振荡问题再次成为一个潜在的隐患。当器件变薄的同时，耗尽层更容易“穿通”到场中止层，这正是引起关断振荡的机理。因此，振荡的临界电压应当位于**工作区之外。为了减薄器件的厚度，必须在振荡的临界电压与击穿电压之间权衡并做出突破。临界电压随着硅片电阻率的降低而增长，然而与此同时，击穿电压却降低。众所周知，续流二极管(fwd)的软反向恢复特性对于获得较低的开通dv/dt来讲很重要，但是却很少有发表的论文指出igbt开通特性的重要性。在20世纪普及的平面栅igbt有着简单的栅极结构，因此，很容易根据其物理尺寸推断出它的动态特性。然而，槽栅igbt的栅极结构和版图设计更加多变，为在低von和指定短路耐量之间取得平衡而采用的优化方法也更加复杂。